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スパッタでCVD法と同等の絶縁膜特性を持つ、各種絶縁膜を実現

スパッタで「CVD法と同等の絶縁特性を持つ各種絶縁膜」を実現!

SiO2、SiN、SiONで高い絶縁性を持つ膜をスパッタで成膜できます。 絶縁用途や保護膜用途として様々な分野でご使用頂けます。
低温で成膜できる為、レジスト付き基板やフィルム等、熱に弱い基材への成膜も対応可能!

条件 膜厚(nm) 比誘電率 絶縁破壊電界強度(MV/cm)
SiO2 (1) 標準 215 3.8 11.6
(2) レジスト用 185 4 10.7
SiN (1) 緻密 225 2 8.0
(2) 標準 192.4 6.9 8.3
SiON (1) 緻密 227 4.4 13.2
(2) 標準 190.8 13.8 9.4
SiN PE-CVD   216.9 6.4 8.7
比誘電率比較、絶縁破壊電界強度比
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