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エッチング装置仕様 / SEM写真

RIE
装置名 EXAM
エッチング方式 RIE (平行平板型、CCP)
基板サイズ Φ230mm以内
基板温度 20℃
電源 高周波 : 13.56MHz、max 500W

ガス種 SF6、CF4、CHF3、O2、Ar
その他 -
RIE装置写真
ICP
装置名 SID-1246
エッチング方式 RIE (バイアス独立型、ICP)
基板サイズ Φ4インチ又は6インチ
基板温度 -10℃~40℃
電源 高周波 : 13.56MHz、max 2kW
低周波 : 460kHz、max 300W
ガス種 SF6、CF4、CHF3、O2、Ar
その他 簡易ロードロック、静電チャック
RIE装置写真

SEM画像

ICPによるSi加工例SEM
ICPによるSi加工例
RIEによるSi加工例(上部レジスト付)SEM
RIEによるSi加工例(上部レジスト付)
ウェットエッチングによるガラス加工例SEM
ウェットエッチングによるガラス加工例
ICPによるSi加工例(お試しモールド)SEM
ICPによるSi加工例(お試しモールド)
酸化膜犠牲層エッチング加工例SEM
酸化膜犠牲層エッチング加工例
Si(シリコン)犠牲層エッチング加工例SEM
Si(シリコン)犠牲層エッチング加工例
酸化膜犠牲層エッチング加工例SEM
酸化膜犠牲層エッチング加工例加工断面
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TEL:044-852-7575(電子部)
FAX:044-854-1979(代)
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