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ウェハ接合受託加工

MEMSデバイス製作において、ウエハ接合は重要な工程です。

当社では、CMP~ウエハ接合~薄片化まで一貫ラインで行うことで、メタルハイブリッド接合(フュージョン接合)も可能です。

様々な接合方法にてお客様のご要望にお応えいたします。

SUSS接合装置
(装置名 SB8e)
左:プラズマ活性化装置 (装置名 PL12)
右:アライナー
超音波顕微鏡
(装置名 SONOSCAN)
写真:SUSS接合装置 写真:プラズマ活性化装置、アライナー

 

写真:超音波顕微鏡

 

装置スペック

装置名 SB8e
加熱 <500℃
荷重 <20KN
真空 5x10-5 mbar
サイズ チップ~φ8”
アライメント精度 ±1µm

接合方法

直接接合

  • 低温プラズマ活性化(フュージョン接合):大気圧~真空 100~300℃
  • 常温接合(表面活性化接合):高真空 常温

接着層有り

  • 共晶接合(はんだ接合):AuSn(290℃)、AuSi(390℃)、AuGe(430℃)
  • 金属拡散接合:Au-Au(300℃)、Al-Al(400℃)、Cu-Cu(350℃)
  • ガラスフリット接合:Pbフリー(450℃)
  • 接着剤接合、樹脂接合:BCB(250℃)、ポリイミド(300℃)、 エポキシ(160℃)、シリコーン(200℃)

樹脂接合

樹脂接合
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